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其原理基于红外干涉现象，通过反射光波与薄膜表面之间的相位差来实现对薄膜厚度的测量。以下将分析红外干涉测厚仪在半导体制造中的应用及优势。
1、高精度厚度测量
在半导体制造中，薄膜的厚度对器件的性能具有直接影响。例如，在光刻、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）等过程中，薄膜的均匀性和精确厚度控制至关重要。测厚仪能够在不接触薄膜的情况下，对其厚度进行高精度测量。与传统的接触式测量工具不同，测厚仪能够避免因接触而引起的误差或损伤，确保测量的准确性。
2、非接触测量，避免污染
半导体制造过程中，任何外来物质的污染都会对产品质量产生影响。测厚仪的非接触式测量特性，可以有效避免因测量设备接触表面而引入的污染风险。这对于微米级甚至纳米级厚度的薄膜尤其重要，确保了每个生产环节的清洁度和精度。
3、实时在线监控
红外干涉测厚仪可以与半导体制造设备实现在线连接，实时监控薄膜沉积过程中的厚度变化。通过与生产设备的集成，测厚仪能够在工艺过程中自动进行厚度校正，确保每一层薄膜的厚度都在设定的工艺参数范围内。这种实时监控和调整能够显著提高生产效率，减少因厚度不均而造成的废品率。
4、多层薄膜测量能力
在现代半导体器件中，通常需要沉积多层薄膜，且每一层的厚度都需要精确控制。测厚仪具备对多层薄膜同时测量的能力，能够快速、准确地获取各层薄膜的厚度数据。这为复杂结构的半导体器件制造提供了巨大的便利，尤其是在堆叠式存储器（如3DNAND）的生产中，其重要性不言而喻。
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